4月7日消息，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima近日披露，铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存。
铠侠现有的最新闪存技术是2023年3月推出的第八代BiCS，堆叠了218层，接口速度3200MT/s。
至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。
目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。
有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。
三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。