12月21日消息,集邦咨询的报告显示,ASML阿斯麦将在2024年生产最多10台新一代高NA(数值孔径) EUV极紫外光刻机,其中Intel就定了多达6台。

同时,三星星也在积极角逐新光刻机,台积电感觉压力巨大。

NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标,直接决定了光刻的实际分辨率,以及最高能达到的工艺节点。

金属间距缩小到30nm以下之后,也就是对应的工艺节点超越5nm,低NA光刻机的分辨率就不够了,只能使用EUV双重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助,不但会大大增加成本,还会降低良品率。

因此,更高的NA成为必需。

ASML 9月份曾宣布,将在今年底发货第一台高NA EUV光刻机,型号 Twinscan EXE:5000 ,从0.33做到0.55,光刻分辨率缩小到8nm,可制造2nm工艺乃至更先进的芯片。

ASML没有公布第一台高NA EUV光刻机的客户,但业界普遍认为正是Intel。

Intel最初就计划利用新光刻机投产Intel 18A工艺,但因为等不及,只能改用已有的0.33 NA NXE:3600D/3800E叠加双重曝光。

ASML明年量产的高NA EUV光刻机,将是改进型的Twinscan EXE:5200,支持大规模量产。

未来,ASML将把年产量进一步提高到20台左右。

这种新光刻机的成本和价格没有公开,猜测至少3亿美元,甚至可能达到或超过4亿美元,也就是逼近人民币30亿元。

目前的低NA EUV光刻机需要2亿美元左右。

作者 富联娱乐

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